一、用拷贝的内容替换
当发生拼写错误或者想要重命名标识符时,就需要用拷贝的内容来替换当前的名字。比如调用函数时写错了:
void letus_fuckit_with_vim(){ cout<<"great!"; } let_fuckat_with_vom();
只需要先复制上面的函数名,再把光标切换到拼错的词首。然后按下viwp,就替换过来了:
void letus_fuckit_with_vim(){ cout<<"great!"; } letus_fuckit_with_vim();
v进入可视模式,然后iw来选择光标所在单词,最后按下p来粘贴。iw表示inner word
,有用的搭配还有yiw, ciw等。
二、拷贝整个文件
当我们刚开始使用Vim时,大神会告诉我们如何拷贝整个文件:ggvGy, NB一点的大神会告诉我们:ggyG。现在告诉大家:
:%y
三、暂时离开插入模式
当我们处在insert
模式时,有时会希望在normal模式下执行某个命令再马上回到insert
模式。 可能需要先按下<Esc>,执行命令,再按下i。
Vim为此提供了方便:
当我们需要暂时离开insert模式并执行一个命令时,可以按下<c-o>
执行完后续命令后Vim自动回到insert模式。
例如:
:map <F5> :! g++ % && ./a.out <CR> :imap <F5> <c-o><F5>
四、字符查找
Vim光标跳转虽然有数十种快捷键,但你有没有发现当我们碰到长单词时会很无力,比如我想把下面的description替换为keywords:
tmystr_meta_description
是不是要不断地敲l(或者敲几次{num}l),其实可以用单词查找功能。只需要输入fd便可以查找当前行的下一个字母d。大写的F可以反向查找。
五、搜索当前词
按下*即可搜索当前光标所在的词(word),再次按下搜索下一个。 按下#搜索上一个。
*只匹配出现的单词,对于中文没有断字。如果查找当前词的所有字串,可以使用g*。
六、命令模式粘贴
如果希望全局查找替换当前光标所在的单词,我们可能需要手动地在命令模式下敲出来: %s/foo/bar/g
。 但如果当前光标就在那个单词上的话,可以在敲完%s/之后将它粘贴到命令里:
<Ctrl+R> <Ctrl+W>
这是命令模式的<Ctrl+R>工具,用法还包括粘贴当前文件路径: <Ctrl+R>%
。 更多用法请查看帮助: :help c_CTRL-R
。
七、段落跳转
这个对中文用户几乎无用,但我们在编辑代码文件时会很有用。()可以调到句首句尾,{}可以调到段首段尾。
八、选区头尾跳转
Emmet插件可以进行HTML的标签匹配,你按下<c-y>d当前标签首尾之间被选中。你想调到选中区域的尾部怎么办? 按下o即可切换收尾,再次按下v就能回到Normal模式。
有木有特别想在匹配的括号间跳转!按下%!
九、原生自动补全
如果你没有使用任何Vim插件,Vim的自动补全是默认关闭的。在不引入插件的情况下Vim也可以启用强大的自动补全,只需要设置:
filetype plugin on set omnifunc=syntaxcomplete#Complete
在任何时候,按下<c-x><c-o>
将会触发自动补全。
参考: http://vim.wikia.com/wiki/Omni_completion
十、用搜索来选区
当你需要选择一大段文字时,不妨先进入visual模式,再进行正则搜索。例如在markdown中,选择某个##的内容可以这样操作: 移动光标到要选中的##上,按下v进入visual模式,输入/^## 匹配下一个二级标题,按下k回到上一行。
十一、拷贝当前文件名
使用:let @"=expand("%")
可以拷贝当前文件名,我们可以给这个命令设一个快捷键:
nnoremap yf :let @f=expand("%:t")<CR> nnoremap yp :let @p=expand("%:p")<CR>
其中yf拷贝当前文件名到寄存器f,yp拷贝完整文件路径到寄存器p。然后分别按下"fp和"pp即可粘贴。
十二、大小写不敏感搜索
可以在模式的任何位置加入\c来进行大小写不敏感搜索,在任何位置加入\C来进行大小写敏感搜索。 可以设置set ignorecase来默认进行大小写不敏感搜索,同时可以设置set smartcase: 当模式包含大写字母时忽略ignorecase设置。
总结
以上就是这篇文章的全部内容了,希望本文的这些小技巧能够为大家的学习或者工作带来一定的帮助,如果有疑问大家可以留言交流。
RTX 5090要首发 性能要翻倍!三星展示GDDR7显存
三星在GTC上展示了专为下一代游戏GPU设计的GDDR7内存。
首次推出的GDDR7内存模块密度为16GB,每个模块容量为2GB。其速度预设为32 Gbps(PAM3),但也可以降至28 Gbps,以提高产量和初始阶段的整体性能和成本效益。
据三星表示,GDDR7内存的能效将提高20%,同时工作电压仅为1.1V,低于标准的1.2V。通过采用更新的封装材料和优化的电路设计,使得在高速运行时的发热量降低,GDDR7的热阻比GDDR6降低了70%。
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