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如果你不小心覆盖了之前的存储过程,那得赶紧闪回,时长越长闪回的可能性越小。原理很简单,存储过程的定义就是数据字典,修改数据字典跟修改普通表的数据没有区别,此时会把修改前的内容放到undo中,我们可以根据这一点来进行闪回,所以我说要尽快,要不然找不回来了。下面我们来做一个实验:

1.在用户TEST下14:31下建立存储过程
复制代码 代码如下:
create or replace procedure GG_TEST
as l_cnt number;
begin
for i in 1 .. 10000
loop
execute immediate 'select count(*) from t where x = ' || i into l_cnt;
end loop;

end;

2.在用户TEST下在14:33下删除存储过程
复制代码 代码如下:
drop procedure GG_TEST;

3.登录到sys账户下
复制代码 代码如下:
create table p_temp as
select *
from dba_source as of timestamp TO_TIMESTAMP('2014-05-04 14:33:00', 'YYYY-MM-DD HH24:MI:SS')
where TYPE = 'PROCEDURE'
And owner = 'TEST'
And Name = 'GG_TEST';


select text
from p_temp
where name like upper('%GG_TEST%')
and owner = 'TEST'

order by line;

TEXT
---------------------------------------------------------------------------
procedure GG_TEST
as l_cnt number;
begin
for i in 1 .. 10000
loop
execute immediate 'select count(*) from t where x = ' || i into l_cnt;
end loop;
end;
标签:
oracle,存储过程

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RTX 5090要首发 性能要翻倍!三星展示GDDR7显存

三星在GTC上展示了专为下一代游戏GPU设计的GDDR7内存。

首次推出的GDDR7内存模块密度为16GB,每个模块容量为2GB。其速度预设为32 Gbps(PAM3),但也可以降至28 Gbps,以提高产量和初始阶段的整体性能和成本效益。

据三星表示,GDDR7内存的能效将提高20%,同时工作电压仅为1.1V,低于标准的1.2V。通过采用更新的封装材料和优化的电路设计,使得在高速运行时的发热量降低,GDDR7的热阻比GDDR6降低了70%。